IPP023NE7N3GXKSA1 · MOSFET PG-TO220-3-1
IPP023NE7N3GXKSA1 是 Infineon Technologies 的 MOSFET PG-TO220-3-1，封装 PG-TO220-3-1，¥30.6（1 个起订），现货。深圳市科炜科技有限公司可提供该型号的现货配套与 BOM 整单配单，价格与交期以询价确认为准。
| 型号 (MPN) | IPP023NE7N3GXKSA1 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 品名 | MOSFET PG-TO220-3-1 |
| 封装 | PG-TO220-3-1 |
| 分类 | 二三极管 / MOSFET |
| 参考单价 | ¥30.6 |
| 起订量 | 1 个 |
| 交期参考 | 现货 |
| 参考库存 | 417 个 |
IPP023NE7N3GXKSA1 阶梯价格（参考）
| 采购数量 | 参考单价 | 交期参考 |
|---|---|---|
| 1 个及以上 | ¥30.6 | 现货 |
| 10 个及以上 | ¥20.1096 | 现货 |
| 50 个及以上 | ¥15.588 | 现货 |
| 100 个及以上 | ¥14.1307 | 现货 |
| 500 个及以上 | ¥11.578 | 现货 |
IPP023NE7N3GXKSA1 详细参数
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源耐压 | 75 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| 导通电阻 | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
IPP023NE7N3GXKSA1 产品说明
Infineon Technologies N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1。现货库存 417 个。
IPP023NE7N3GXKSA1 常见问题
该型号在库参考数量 417 个，现货。实际库存与交期以询价确认为准，下单前请联系销售核对最新情况。
参考单价 ¥30.6（1 个起订）。阶梯价：1 个 起 ¥30.6、10 个 起 ¥20.1096、50 个 起 ¥15.588、100 个 起 ¥14.1307、500 个 起 ¥11.578。数量越大价格越低，把具体数量发给我们可获得正式报价。
IPP023NE7N3GXKSA1 由 Infineon Technologies 生产，封装 PG-TO220-3-1，属于二三极管下的MOSFET。Infineon Technologies N-Channel 75 V 120A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1。现货库存 417 个。
IPP023NE7N3GXKSA1 的最小起订量为 1 个，支持小批量试产与批量配套，整盘、编带、散料均可按需求配货。
可以。把原型号、目标品牌或关键参数（如FET Type、Technology、漏源耐压）发给我们，我们会给出可替代型号、封装匹配情况与配单报价。
三种方式：电话或微信 19125211182；邮箱 19125211182@163.com；或在官网 BOM 配单页上传物料清单，我们通常在两小时内回复报价。