IPP023N10N5XKSA1 · MOSFET PG-TO220-3-1
IPP023N10N5XKSA1 是 Infineon Technologies 的 MOSFET PG-TO220-3-1，封装 PG-TO220-3-1，¥49.68（1 个起订），现货。深圳市科炜科技有限公司可提供该型号的现货配套与 BOM 整单配单，价格与交期以询价确认为准。
| 型号 (MPN) | IPP023N10N5XKSA1 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 品名 | MOSFET PG-TO220-3-1 |
| 封装 | PG-TO220-3-1 |
| 分类 | 二三极管 / MOSFET |
| 参考单价 | ¥49.68 |
| 起订量 | 1 个 |
| 交期参考 | 现货 |
| 参考库存 | 326 个 |
IPP023N10N5XKSA1 阶梯价格（参考）
| 采购数量 | 参考单价 | 交期参考 |
|---|---|---|
| 1 个及以上 | ¥49.68 | 现货 |
| 10 个及以上 | ¥33.408 | 现货 |
| 50 个及以上 | ¥26.4283 | 现货 |
| 100 个及以上 | ¥24.1826 | 现货 |
| 500 个及以上 | ¥20.251 | 现货 |
IPP023N10N5XKSA1 详细参数
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源耐压 | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| 导通电阻 | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 270µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
IPP023N10N5XKSA1 产品说明
Infineon Technologies N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1。现货库存 326 个。
IPP023N10N5XKSA1 常见问题
该型号在库参考数量 326 个，现货。实际库存与交期以询价确认为准，下单前请联系销售核对最新情况。
参考单价 ¥49.68（1 个起订）。阶梯价：1 个 起 ¥49.68、10 个 起 ¥33.408、50 个 起 ¥26.4283、100 个 起 ¥24.1826、500 个 起 ¥20.251。数量越大价格越低，把具体数量发给我们可获得正式报价。
IPP023N10N5XKSA1 由 Infineon Technologies 生产，封装 PG-TO220-3-1，属于二三极管下的MOSFET。Infineon Technologies N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1。现货库存 326 个。
IPP023N10N5XKSA1 的最小起订量为 1 个，支持小批量试产与批量配套，整盘、编带、散料均可按需求配货。
可以。把原型号、目标品牌或关键参数（如FET Type、Technology、漏源耐压）发给我们，我们会给出可替代型号、封装匹配情况与配单报价。
三种方式：电话或微信 19125211182；邮箱 19125211182@163.com；或在官网 BOM 配单页上传物料清单，我们通常在两小时内回复报价。